Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - RF > 2SC3583-T1B-A
Renesas Electronics America Inc

2SC3583-T1B-A

Номер детали производителя 2SC3583-T1B-A
производитель Renesas Electronics America Inc
Подробное описание 2SC3583 - MD
Упаковка SOT23-3 (TO-236)
В наличии 194399 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
666
$0.175
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 194399 Renesas Electronics America Inc 2SC3583-T1B-A в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 10V
Тип транзистор NPN
Поставщик Упаковка устройства SOT23-3 (TO-236)
Серии -
Мощность - Макс 200mW
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Коэффициент шума (дБ Typ @ F) 1.2dB @ 1GHz
Тип установки Surface Mount
Усиление 13dB
Частота - Переход 9GHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 8V
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 65mA

Рекомендуемые продукты

2SC3583-T1B-A DataSheet PDF

Ключевые слова для 2SC3583-T1B-A

Связанные детали для 2SC3583-T1B-A