Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RM8N650TI
Rectron USA

RM8N650TI

Номер детали производителя RM8N650TI
производитель Rectron USA
Подробное описание MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO220F
Упаковка TO-220F
В наличии 234462 pcs
Техническая спецификация RM8N650xx
Справочная цена (В долларах США)
5000
$0.199
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rectron USA.У нас есть кусочки 234462 Rectron USA RM8N650TI в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220F
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 31.7W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 680 pF @ 50 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8A (Tj)

Рекомендуемые продукты

RM8N650TI DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для RM8N650TI

Связанные детали для RM8N650TI