Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RM50N30DN
Rectron USA

RM50N30DN

Номер детали производителя RM50N30DN
производитель Rectron USA
Подробное описание MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN
Упаковка 8-DFN (3x3)
В наличии 529008 pcs
Техническая спецификация RM50N30DN
Справочная цена (В долларах США)
25000
$0.086
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rectron USA.У нас есть кусочки 529008 Rectron USA RM50N30DN в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-DFN (3x3)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 12A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.57W (Ta)
Упаковка / 8-PowerWDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1840 pF @ 25 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Ta)

Рекомендуемые продукты

RM50N30DN DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для RM50N30DN

Связанные детали для RM50N30DN