Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RM4N650LD
Rectron USA

RM4N650LD

Номер детали производителя RM4N650LD
производитель Rectron USA
Подробное описание MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252-2
Упаковка TO-252-2
В наличии 347194 pcs
Техническая спецификация RM4N650xx
Справочная цена (В долларах США)
25000
$0.129
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rectron USA.У нас есть кусочки 347194 Rectron USA RM4N650LD в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-252-2
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 46W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 280 pF @ 50 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)

Рекомендуемые продукты

RM4N650LD DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для RM4N650LD

Связанные детали для RM4N650LD