Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RM35P30LDV
Rectron USA

RM35P30LDV

Номер детали производителя RM35P30LDV
производитель Rectron USA
Подробное описание MOSFET P-CHANNEL 30V 35A TO252-2
Упаковка TO-252-2
В наличии 602681 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
25000
$0.075
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rectron USA.У нас есть кусочки 602681 Rectron USA RM35P30LDV в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-252-2
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 40W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1345 pF @ 15 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 35A (Tc)

Рекомендуемые продукты

RM35P30LDV DataSheet PDF

Ключевые слова для RM35P30LDV

Связанные детали для RM35P30LDV