Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RM2N650IP
Rectron USA

RM2N650IP

Номер детали производителя RM2N650IP
производитель Rectron USA
Подробное описание MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
Упаковка TO-251
В наличии 362956 pcs
Техническая спецификация RM2N650xx
Справочная цена (В долларах США)
40000
$0.106
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rectron USA.У нас есть кусочки 362956 Rectron USA RM2N650IP в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-251
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 23W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Stub Leads, IPak
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 190 pF @ 50 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2A (Tc)

Рекомендуемые продукты

RM2N650IP DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для RM2N650IP

Связанные детали для RM2N650IP