Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RM120N30DF
Rectron USA

RM120N30DF

Номер детали производителя RM120N30DF
производитель Rectron USA
Подробное описание MOSFET N-CHANNEL 30V 120A 8DFN
Упаковка 8-DFN (5x6)
В наличии 279369 pcs
Техническая спецификация RM120N30DF
Справочная цена (В долларах США)
40000
$0.138
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rectron USA.У нас есть кусочки 279369 Rectron USA RM120N30DF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-DFN (5x6)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.35mOhm @ 60A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 75W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4200 pF @ 15 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Tc)

Рекомендуемые продукты

RM120N30DF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для RM120N30DF

Связанные детали для RM120N30DF