Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RFW2N06RLE

RFW2N06RLE

Номер детали производителя RFW2N06RLE
производитель Harris Corporation
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка 4-DIP, Hexdip
В наличии 69346 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
167
$0.673
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 69346 Harris Corporation RFW2N06RLE в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) +10V, -5V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 4-DIP, Hexdip
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 2A, 5V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.09W (Tc)
Упаковка / 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 535 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2A (Tc)

Рекомендуемые продукты

RFW2N06RLE DataSheet PDF

Ключевые слова для RFW2N06RLE

Связанные детали для RFW2N06RLE