Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RFL1N12

RFL1N12

Номер детали производителя RFL1N12
производитель Harris Corporation
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка TO-205AF (TO-39)
В наличии 130184 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
342
$0.322
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 130184 Harris Corporation RFL1N12 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-205AF (TO-39)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 8.33W (Tc)
Упаковка / TO-205AF Metal Can
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 200 pF @ 25 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 120 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1A (Tc)

Рекомендуемые продукты

RFL1N12 DataSheet PDF

Ключевые слова для RFL1N12

Связанные детали для RFL1N12