Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RFD3N08L

RFD3N08L

Номер детали производителя RFD3N08L
производитель Harris Corporation
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка I-PAK
В наличии 323553 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
951
$0.13
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 323553 Harris Corporation RFD3N08L в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±10V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I-PAK
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 1.5A, 5V
Рассеиваемая мощность (макс) 30W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A (Tc)

Рекомендуемые продукты

RFD3N08L DataSheet PDF

Ключевые слова для RFD3N08L

Связанные детали для RFD3N08L