Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RF1S640SM

RF1S640SM

Номер детали производителя RF1S640SM
производитель Harris Corporation
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB
Упаковка TO-263AB
В наличии 37543 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
110
$0.972
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 37543 Harris Corporation RF1S640SM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-263AB
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 125W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1275 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Tc)

Рекомендуемые продукты

RF1S640SM DataSheet PDF

Ключевые слова для RF1S640SM

Связанные детали для RF1S640SM