Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > QJD1210011
Powerex Inc.

QJD1210011

Номер детали производителя QJD1210011
производитель Powerex Inc.
Подробное описание MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Упаковка Module
В наличии 5959 pcs
Техническая спецификация QJD1210011 Preliminary DatasheetFull SiC & Hybride SiC IGBTs Brief
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Powerex Inc..У нас есть кусочки 5959 Powerex Inc. QJD1210011 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 100A, 20V
Мощность - Макс 900W
Упаковка / Module
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 10200pF @ 800V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 500nC @ 20V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта QJD1210

Рекомендуемые продукты

QJD1210011 DataSheet PDF

Техническая спецификация