Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > PJD3NA80_L2_00001
Panjit International Inc.

PJD3NA80_L2_00001

Номер детали производителя PJD3NA80_L2_00001
производитель Panjit International Inc.
Подробное описание 800V N-CHANNEL MOSFET
Упаковка TO-252
В наличии 4398 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Panjit International Inc..У нас есть кусочки 4398 Panjit International Inc. PJD3NA80_L2_00001 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 80W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 406 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A (Ta)

Рекомендуемые продукты

PJD3NA80_L2_00001 DataSheet PDF

Ключевые слова для PJD3NA80_L2_00001

Связанные детали для PJD3NA80_L2_00001