Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > PSMN4R3-100ES,127
PSMN4R3-100ES,127 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

PSMN4R3-100ES,127

Номер детали производителя PSMN4R3-100ES,127
производитель Nexperia USA Inc.
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Упаковка I2PAK
В наличии 4372 pcs
Техническая спецификация Label Chg 12/Mar/2017All Dev Label Chgs 2/Aug/2020Mult Dev EOL 03/Jul/2019PSMN4R3-100ES
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Nexperia USA Inc..У нас есть кусочки 4372 Nexperia USA Inc. PSMN4R3-100ES,127 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I2PAK
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 338W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 9900 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Tc)

Рекомендуемые продукты

PSMN4R3-100ES,127 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для PSMN4R3-100ES,127

Связанные детали для PSMN4R3-100ES,127