Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > PSMN130-200D,118-NEX
Nexperia USA Inc.

PSMN130-200D,118-NEX

Номер детали производителя PSMN130-200D,118-NEX
производитель Nexperia USA Inc.
Подробное описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Упаковка DPAK
В наличии 5199 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Nexperia USA Inc..У нас есть кусочки 5199 Nexperia USA Inc. PSMN130-200D,118-NEX в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DPAK
Серии TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2470 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Tc)

Рекомендуемые продукты

PSMN130-200D,118-NEX DataSheet PDF

Ключевые слова для PSMN130-200D,118-NEX

Связанные детали для PSMN130-200D,118-NEX