Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > PHT6NQ10T,135
PHT6NQ10T,135 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

PHT6NQ10T,135

Номер детали производителя PHT6NQ10T,135
производитель Nexperia USA Inc.
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Упаковка SOT-223
В наличии 327494 pcs
Техническая спецификация All Dev Label Chgs 2/Aug/2020Resin Hardener 02/Jul/2013Mult Dev Carrier Tape Chg 16/Feb/2020PHT6NQ10T
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.342 $0.304 $0.237 $0.196 $0.155 $0.144
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Nexperia USA Inc..У нас есть кусочки 327494 Nexperia USA Inc. PHT6NQ10T,135 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SOT-223
Серии TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Упаковка / TO-261-4, TO-261AA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 633 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A (Ta)
Базовый номер продукта PHT6NQ10

Рекомендуемые продукты

PHT6NQ10T,135 DataSheet PDF

Техническая спецификация