Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > PHN210T,118
Nexperia USA Inc.

PHN210T,118

Номер детали производителя PHN210T,118
производитель Nexperia USA Inc.
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Упаковка 8-SO
В наличии 4183 pcs
Техническая спецификация PHN210TLabel Chg 12/Mar/2017Mult Device Part Marking Add 30/Sep/2017Mult Devices EOL 30/Jun/2018Mult Devices EOL 12/Jul/2018All Dev Label Chgs 2/Aug/2020Logo Marking Update 30/Nov/2016
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Nexperia USA Inc..У нас есть кусочки 4183 Nexperia USA Inc. PHN210T,118 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V
Мощность - Макс 2W
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 250pF @ 20V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 6nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C -
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта PHN210

Рекомендуемые продукты

PHN210T,118 DataSheet PDF

Техническая спецификация