GAN041-650WSBQ

Номер детали производителя	GAN041-650WSBQ
производитель	Nexperia USA Inc.
Подробное описание	GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Упаковка	TO-247-3
В наличии	8527 pcs
Техническая спецификация	Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022 GAN041-650WSB Circuit design & PCB layout recommendations for Ga GaN FETs brochure

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500
$7.55	$6.94	$5.861	$5.214

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Nexperia USA Inc..У нас есть кусочки 8527 Nexperia USA Inc. GAN041-650WSBQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Поставщик Упаковка устройства	TO-247-3
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 32A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	187W
Упаковка /	TO-247-3
Упаковка	Tube

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки	Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1500 pF @ 400 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	47.2A