Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > APTM120A80FT1G
Microsemi Corporation

APTM120A80FT1G

Номер детали производителя APTM120A80FT1G
производитель Microsemi Corporation
Подробное описание MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
Упаковка SP1
В наличии 4021 pcs
Техническая спецификация APTM120A80FT1GPower Products CatalogMicrochip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi Corporation.У нас есть кусочки 4021 Microsemi Corporation APTM120A80FT1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SP1
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 960mOhm @ 12A, 10V
Мощность - Макс 357W
Упаковка / SP1
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6696pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 14A
конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Базовый номер продукта APTM120

Рекомендуемые продукты

APTM120A80FT1G DataSheet PDF

Техническая спецификация