Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > APTM100DDA35T3G
Microsemi Corporation

APTM100DDA35T3G

Номер детали производителя APTM100DDA35T3G
производитель Microsemi Corporation
Подробное описание MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Упаковка SP3
В наличии 4719 pcs
Техническая спецификация Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSPower Products CatalogMult Devices 01/Nov/2017
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi Corporation.У нас есть кусочки 4719 Microsemi Corporation APTM100DDA35T3G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SP3
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 11A, 10V
Мощность - Макс 390W
Упаковка / SP3
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5200pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 186nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1000V (1kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 22A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта APTM100

Рекомендуемые продукты

APTM100DDA35T3G DataSheet PDF

Техническая спецификация