Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > APTGT100DH170G
Microsemi Corporation

APTGT100DH170G

Номер детали производителя APTGT100DH170G
производитель Microsemi Corporation
Подробное описание IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6
Упаковка SP6
В наличии 5887 pcs
Техническая спецификация Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSMult Devices 01/Nov/2017
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi Corporation.У нас есть кусочки 5887 Microsemi Corporation APTGT100DH170G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1700 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.4V @ 15V, 100A
Поставщик Упаковка устройства SP6
Серии -
Мощность - Макс 560 W
Упаковка / SP6
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора No
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 9 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 350 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 150 A
конфигурация Asymmetrical Bridge

Рекомендуемые продукты

APTGT100DH170G DataSheet PDF

Техническая спецификация