Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > APTC90H12T1G
Microsemi Corporation

APTC90H12T1G

Номер детали производителя APTC90H12T1G
производитель Microsemi Corporation
Подробное описание MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
Упаковка SP1
В наличии 6233 pcs
Техническая спецификация Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSSTD Dev EOL Jul/2018
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi Corporation.У нас есть кусочки 6233 Microsemi Corporation APTC90H12T1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SP1
Серии CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 26A, 10V
Мощность - Макс 250W
Упаковка / SP1
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6800pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 270nC @ 10V
FET Характеристика Super Junction
Слить к источнику напряжения (VDSS) 900V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A
конфигурация 4 N-Channel (Half Bridge)
Базовый номер продукта APTC90

Рекомендуемые продукты

APTC90H12T1G DataSheet PDF

Техническая спецификация