Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > APT80SM120B
Microsemi Corporation

APT80SM120B

Номер детали производителя APT80SM120B
производитель Microsemi Corporation
Подробное описание SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Упаковка TO-247
В наличии 4712 pcs
Техническая спецификация Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSMult Devices 16/Oct/2017
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi Corporation.У нас есть кусочки 4712 Microsemi Corporation APT80SM120B в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (макс.) +25V, -10V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства TO-247
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 40A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс) 555W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 235 nC @ 20 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)

Рекомендуемые продукты

APT80SM120B DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для APT80SM120B

Связанные детали для APT80SM120B