Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > APT50M80B2VRG
Microsemi Corporation

APT50M80B2VRG

Номер детали производителя APT50M80B2VRG
производитель Microsemi Corporation
Подробное описание MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Упаковка T-MAX™ [B2]
В наличии 5834 pcs
Техническая спецификация Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi Corporation.У нас есть кусочки 5834 Microsemi Corporation APT50M80B2VRG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Vgs (макс.) -
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства T-MAX™ [B2]
Серии POWER MOS V®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 29A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) -
Упаковка / TO-247-3 Variant
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 8797 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 423 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 58A (Tc)

Рекомендуемые продукты

APT50M80B2VRG DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для APT50M80B2VRG

Связанные детали для APT50M80B2VRG