Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы > SG2013J-883B
Microchip Technology

SG2013J-883B

Номер детали производителя SG2013J-883B
производитель Microchip Technology
Подробное описание TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Упаковка 16-CDIP
В наличии 6525 pcs
Техническая спецификация Integration 26/Feb/2020Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 6525 Microchip Technology SG2013J-883B в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 1.9V @ 600µA, 500mA
Тип транзистор 7 NPN Darlington
Поставщик Упаковка устройства 16-CDIP
Серии -
Мощность - Макс -
Упаковка / -
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Частота - Переход -
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 900 @ 500mA, 2V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) -
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 600mA
Базовый номер продукта SG2013

Рекомендуемые продукты

SG2013J-883B DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SG2013J-883B

Связанные детали для SG2013J-883B