JANTXV1N6628US/TR
| Номер детали производителя | JANTXV1N6628US/TR |
|---|---|
| производитель | Microchip Technology |
| Подробное описание | DIODE GEN PURP 660V 1.75A D-5B |
| Упаковка | D-5B |
| В наличии | 5079 pcs |
| Техническая спецификация | Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
Справочная цена (В долларах США)
| 100 |
|---|
| $9.008 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 5079 Microchip Technology JANTXV1N6628US/TR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.35 V @ 2 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 660 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | D-5B |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 30 ns |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка / | SQ-MELF, E |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 2 µA @ 660 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1.75A |
| Емкостной @ В.Р., F | 40pF @ 10V, 1MHz |
Рекомендуемые продукты
-
JANTXV1N6629US
DIODE GEN PURP 800V 1.4A D-5BMicrosemi Corporation -
JANTXV1N6631/TR
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A E-PAKMicrochip Technology -
JANTXV1N6630US/TR
UFR,FRRMicrochip Technology -
JANTXV1N6627US
DIODE GEN PURP 440V 1.75A D-5BMicrochip Technology -
JANTXV1N6627/TR
DIODE GEN PURP 440V 1.75AMicrochip Technology -
JANTXV1N6630US
DIODE GEN PURP 1KV 1.4A D-5BMicrochip Technology -
JANTXV1N6628
DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIALMicrochip Technology -
JANTXV1N6631U
DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELFMicrochip Technology -
JANTXV1N6628U
DIODE GEN PURP 600V 1.75A D-5BMicrosemi Corporation -
JANTXV1N6630
DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-PAKMicrochip Technology -
JANTXV1N6627U
DIODE GEN PURP 400V 1.75A D-5BMicrochip Technology -
JANTXV1N6628/TR
DIODE GEN PURP 660V 1.75AMicrochip Technology -
JANTXV1N6629
DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIALMicrosemi Corporation -
JANTXV1N6630U
DIODE GP 990V 1.4A SQ-MELF BMicrochip Technology -
JANTXV1N6628US
DIODE GEN PURP 660V 1.75A D-5BMicrochip Technology -
JANTXV1N6627U/TR
DIODE GEN PURP 400V 1.75A D-5BMicrochip Technology -
JANTXV1N6628U/TR
DIODE GP REV 660V 1.75A SQ-MELFMicrochip Technology -
JANTXV1N6631
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A E-PAKMicrochip Technology -
JANTXV1N6627US/TR
DIODE GEN PURP 440V 1.75A D-5BMicrochip Technology -
JANTXV1N6630/TR
DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-PAKMicrochip Technology