JANTXV1N6080
Номер детали производителя | JANTXV1N6080 |
---|---|
производитель | Microchip Technology |
Подробное описание | DIODE GEN PURP 100V 2A G AXIAL |
Упаковка | G, Axial |
В наличии | 2352 pcs |
Техническая спецификация | Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
Справочная цена (В долларах США)
100 |
---|
$17.016 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 2352 Microchip Technology JANTXV1N6080 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.5 V @ 37.7 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | G, Axial |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Military, MIL-PRF-19500/503 |
Обратное время восстановления (ТИР) | 30 ns |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка / | G, Axial |
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 155°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 2A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Рекомендуемые продукты
-
JANTXV1N6074/TR
DIODE GP 100V 850MA A AXIALMicrochip Technology -
JANTXV1N6102
T MET BI 500W 6.8VSemtech Corporation -
JANTXV1N6076
DIODE GEN PURP 50V 1.3A E-PAKMicrochip Technology -
JANTXV1N6103
TVS DIODE 5.7VWM 11.76VC AXIALMicrochip Technology -
JANTXV1N6077
DIODE GEN PURP 100V 1.3A E-PAKMicrochip Technology -
JANTXV1N6075
DIODE GEN PURP 150V 850MA A-PAKMicrochip Technology -
JANTXV1N6100
TVS DIODE 14CFLATPACKMicrochip Technology -
JANTXV1N6101
TVS DIODE 16CDIPMicrochip Technology -
JANTXV1N6074
DIODE GP 100V 850MA A AXIALMicrochip Technology -
JANTXV1N6102AUS
T MET BI 500W 6.8V SMSemtech Corporation -
JANTXV1N6081/TR
DIODE GEN PURP 150V 2A G AXIALMicrochip Technology -
JANTXV1N6079
DIODE GEN PURP 50V 2A G AXIALMicrochip Technology -
JANTXV1N6102US
TVS BI 500W 6.12V SMSemtech Corporation -
JANTXV1N6081
DIODE GEN PURP 150V 2A G AXIALMicrochip Technology -
JANTXV1N6073
DIODE GEN PURP 50V 850MA A-PAKMicrochip Technology -
JANTXV1N6102US.TR
TVS BI 500W 6.12V SMSemtech Corporation -
JANTXV1N6078
DIODE GEN PURP 150V 1.3A E-PAKMicrochip Technology -
JANTXV1N6075/TR
DIODE GEN PURP 150V 850MA A-PAKMicrochip Technology -
JANTXV1N6102A
T MET BI 500W 6.8VSemtech Corporation -
JANTXV1N6072A/TR
TVS DIODE 185VWM 328VC DO13Microchip Technology