JANS1N5415
Номер детали производителя | JANS1N5415 |
---|---|
производитель | Microchip Technology |
Подробное описание | DIODE GEN PURP 50V 3A B AXIAL |
Упаковка | B, Axial |
В наличии | 2097 pcs |
Техническая спецификация | Manufacturing Change 23/Feb/2021Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
Справочная цена (В долларах США)
50 |
---|
$19.688 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 2097 Microchip Technology JANS1N5415 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.5 V @ 9 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 50 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | B, Axial |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Military, MIL-PRF-19500/411 |
Обратное время восстановления (ТИР) | 150 ns |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка / | B, Axial |
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 150 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Рекомендуемые продукты
-
JANS1N5415US
DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELFMicrochip Technology -
JANS1N5313-1
DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MWMicrochip Technology -
JANS1N5313-1/TR
DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MWMicrochip Technology -
JANS1N5312UR-1/TR
DIODE CUR REG 100V 4.29MA 500MWMicrochip Technology -
JANS1N5416/TR
DIODE GEN PURP 100V 3A B AXIALMicrochip Technology -
JANS1N5314UR-1/TR
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MWMicrochip Technology -
JANS1N5417
DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIALMicrochip Technology -
JANS1N5313UR-1
DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MWMicrochip Technology -
JANS1N5417/TR
DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIALMicrochip Technology -
JANS1N5415/TR
DIODE GEN PURP 50V 3A B AXIALMicrochip Technology -
JANS1N5415US/TR
DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELFMicrochip Technology -
JANS1N5312UR-1
DIODE CUR REG 100V 4.29MA 500MWMicrochip Technology -
JANS1N5416US
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELFMicrochip Technology -
JANS1N5314-1
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MWMicrochip Technology -
JANS1N5314-1/TR
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MWMicrochip Technology -
JANS1N5313UR-1/TR
DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MWMicrochip Technology -
JANS1N5417US
DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELFMicrochip Technology -
JANS1N5314UR-1
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MWMicrochip Technology -
JANS1N5416
DIODE GEN PURP 100V 3A B AXIALMicrochip Technology -
JANS1N5416US/TR
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELFMicrochip Technology