JAN1N6628US
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 6417 Microchip Technology JAN1N6628US в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
1.35 V @ 2 A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)
660 V
Технологии
Standard
Поставщик Упаковка устройства
D-5B
скорость
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Серии
Military, MIL-PRF-19500/590
Обратное время восстановления (ТИР)
30 ns
Упаковка /
SQ-MELF, E
Свойства продукта
Значение атрибута
Упаковка
Bulk
Рабочая температура - Соединение
-65°C ~ 150°C
Тип установки
Surface Mount
Ток - Обратный утечки @ Vr
2 µA @ 660 V
Текущий - средний выпрямленный (Io)
1.75A
Емкостной @ В.Р., F
40pF @ 10V, 1MHz
Базовый номер продукта
1N6628
Рекомендуемые продукты
JAN1N6630US/TR
UFR,FRR
Microchip Technology
JAN1N6627US/TR
DIODE GEN PURP 440V 1.75A D-5B
Microchip Technology
JAN1N6627/TR
DIODE GEN PURP 440V 1.75A
Microchip Technology
JAN1N6627U
DIODE GEN PURP 400V 1.75A D-5B
Microsemi Corporation
JAN1N6629U
DIODE GEN PURP 800V 1.4A D-5B
Microsemi Corporation
JAN1N6629US
DIODE GEN PURP 880V 1.4A D-5B
Microsemi Corporation
JAN1N6628U
DIODE GEN PURP 600V 1.75A D-5B
Microsemi Corporation
JAN1N6628U/TR
DIODE GP REV 660V 1.75A SQ-MELF
Microchip Technology
JAN1N6627
DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N6628
DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N6630U
DIODE GEN PURP 900V 1.4A D-5B
Microsemi Corporation
JAN1N6629
DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL
Microsemi Corporation
JAN1N6630U/TR
DIODE GP REV 990V 1.4A SQ-MELF B
Microchip Technology
JAN1N6627U/TR
DIODE GP REV 400V 4A E-MELF
Microchip Technology
JAN1N6628US/TR
DIODE GP REV 660V 1.75A E-MELF
Microchip Technology
JAN1N6630
DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N6627US
DIODE GEN PURP 440V 1.75A D-5B
Microchip Technology
JAN1N6630/TR
DIODE GEN PURP 900V 1.4A
Microchip Technology
JAN1N6628/TR
DIODE GEN PURP 660V 1.75A
Microchip Technology
JAN1N6630US
DIODE GEN PURP 900V 1.4A D-5B
Microchip Technology
JAN1N6628US DataSheet PDF
Техническая спецификация
DataShieT File обзор