Изображение может быть представлением. см. Раздел для деталей продукта.
JAN1N5811
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 16509 Microchip Technology JAN1N5811 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
875 mV @ 4 A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)
150 V
Технологии
Standard
Поставщик Упаковка устройства
B, Axial
скорость
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Серии
Military, MIL-PRF-19500/477
Обратное время восстановления (ТИР)
30 ns
Упаковка /
B, Axial
Свойства продукта
Значение атрибута
Упаковка
Bulk
Рабочая температура - Соединение
-65°C ~ 175°C
Тип установки
Through Hole
Ток - Обратный утечки @ Vr
5 µA @ 150 V
Текущий - средний выпрямленный (Io)
6A
Емкостной @ В.Р., F
60pF @ 10V, 1MHz
Базовый номер продукта
1N5811
Рекомендуемые продукты
JAN1N5807URS/TR
UFR,FRR
Microchip Technology
JAN1N5814
DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
Microchip Technology
JAN1N5816
DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA
Microchip Technology
JAN1N5809US/TR
DIODE GP 100V 3A SQ-MELF B
Microchip Technology
JAN1N5812
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
Microchip Technology
JAN1N5809/TR
DIODE GEN PURP 100V 6A
Microchip Technology
JAN1N5811URS
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
Microchip Technology
JAN1N5811/TR
DIODE GEN PURP 150V 6A
Microchip Technology
JAN1N5807URS
DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF
Microchip Technology
JAN1N5811URS/TR
DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B
Microchip Technology
JAN1N5807US/TR
UFR,FRR
Microchip Technology
JAN1N5814R
DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
Microchip Technology
JAN1N5811US
DIODE GEN PURP 150V 6A B SQ-MELF
Microchip Technology
JAN1N5809URS/TR
UFR,FRR
Microchip Technology
JAN1N5811US/TR
DIODE GEN PURP 150V 6A B SQ-MELF
Microchip Technology
JAN1N5809US
DIODE GEN PURP 100V 6A B SQ-MELF
Microchip Technology
JAN1N5807US
DIODE GEN PURP 50V 6A B SQ-MELF
Microchip Technology
JAN1N5809
DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N5812R
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
Microchip Technology
JAN1N5809URS
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
Microchip Technology
Техническая спецификация
DataShieT File обзор