Изображение может быть представлением. см. Раздел для деталей продукта.
JAN1N5415US
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 10905 Microchip Technology JAN1N5415US в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
1.5 V @ 9 A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)
50 V
Технологии
Standard
Поставщик Упаковка устройства
B, Axial
скорость
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Серии
Military, MIL-PRF-19500/411
Обратное время восстановления (ТИР)
150 ns
Упаковка /
B, Axial
Свойства продукта
Значение атрибута
Упаковка
Bulk
Рабочая температура - Соединение
-65°C ~ 175°C
Тип установки
Through Hole
Ток - Обратный утечки @ Vr
1 µA @ 50 V
Текущий - средний выпрямленный (Io)
3A
Емкостной @ В.Р., F
-
Базовый номер продукта
1N5415
Рекомендуемые продукты
JAN1N5415US/TR
DIODE GEN PURP 50V 3A
Microchip Technology
JAN1N5313UR-1
DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5417/TR
DIODE GEN PURP 200V 3A
Microchip Technology
JAN1N5416/TR
DIODE GEN PURP 100V 3A
Microchip Technology
JAN1N5313UR-1/TR
DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5314-1/TR
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5418
DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N5417US
DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF
Microchip Technology
JAN1N5314UR-1
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5415
DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N5417
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N5314-1
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5415/TR
DIODE GEN PURP 50V 3A
Microchip Technology
JAN1N5416US/TR
DIODE GEN PURP 100V 3A
Microchip Technology
JAN1N5314UR-1/TR
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5313-1/TR
DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5417US/TR
DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF
Microchip Technology
JAN1N5416
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N5313-1
DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MW
Microchip Technology
JAN1N5416US
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Microchip Technology
JAN1N5415US DataSheet PDF
Техническая спецификация
DataShieT File обзор