Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > APT35GP120B2DQ2G
Microchip Technology

APT35GP120B2DQ2G

Номер детали производителя APT35GP120B2DQ2G
производитель Microchip Technology
Подробное описание IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Упаковка TO-247-3 Variant
В наличии 5611 pcs
Техническая спецификация Integration 13/May/2020Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSPower Products Catalog
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 5611 Microchip Technology APT35GP120B2DQ2G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 3.9V @ 15V, 35A
режим для испытаний 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C 16ns/95ns
Переключение энергии 750µJ (on), 680µJ (off)
Серии POWER MOS 7®
Мощность - Макс 543 W
Упаковка / TO-247-3 Variant
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Тип ввода Standard
Тип IGBT PT
Заряд затвора 150 nC
Ток - Коллектор Импульсные (ICM) 140 A
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 96 A
Базовый номер продукта APT35GP120

Рекомендуемые продукты

APT35GP120B2DQ2G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для APT35GP120B2DQ2G

Связанные детали для APT35GP120B2DQ2G