Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > MG35P12E1A

MG35P12E1A

Номер детали производителя MG35P12E1A
производитель Yangjie Technology
Подробное описание Transistors - IGBTs - Modules E1
Упаковка Module
В наличии 3030 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
8 40 80 160 320 800
$19.537 $18.451 $17.366 $16.28 $14.652 $13.567
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Yangjie Technology.У нас есть кусочки 3030 Yangjie Technology MG35P12E1A в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.3V @ 15V, 25A
Поставщик Упаковка устройства -
Серии -
Мощность - Макс 166 W
Упаковка / Module
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора Yes
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 1.6 nF @ 25 V
вход Three Phase Bridge Rectifier
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 35 A
конфигурация Three Phase Inverter with Brake

Рекомендуемые продукты

MG35P12E1A DataSheet PDF