Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > TPS1120DR
TPS1120DR Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

TPS1120DR

Номер детали производителя TPS1120DR
производитель N/A
Подробное описание MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Упаковка 8-SOIC
В наличии 77007 pcs
Техническая спецификация Design 25/Feb/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.86 $0.774 $0.622 $0.511 $0.423
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии N/A.У нас есть кусочки 77007 N/A TPS1120DR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
Мощность - Макс 840mW
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds -
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 5.45nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 15V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.17A
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта TPS1120

Рекомендуемые продукты

TPS1120DR DataSheet PDF

Техническая спецификация