LMG3411R070RWHR
Номер детали производителя | LMG3411R070RWHR |
---|---|
производитель | N/A |
Подробное описание | IC GAN FET DRIVER |
Упаковка | 32-VQFN (8x8) |
В наличии | 11043 pcs |
Техническая спецификация | ID symbolization Change 04/Mar/2020Mult Dev 15/Apr/2020LMG3410R070/LMG3411R070 15/May/2020LMG341X Marking Chg 22/Jul/2021Thermal Considerations for Designing GaN Pwr. StagLMG3411R070Does GaN Have a Body Diode?Comprehensive Methodology to qualify the reliabili |
Справочная цена (В долларах США)
2000 |
---|
$3.182 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии N/A.У нас есть кусочки 11043 N/A LMG3411R070RWHR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение тока - поставка (Vcc / Vdd) | 9.5V ~ 18V |
Напряжение - Нагрузка | 480V (Max) |
Тип переключателя | Load Switch |
Поставщик Упаковка устройства | 32-VQFN (8x8) |
Серии | - |
Rds On (Тип) | 70mOhm |
Коэффициент - Входное напряжение: Выходной | 1:1 |
Упаковка / | 32-VQFN Exposed Pad |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип выхода | P-Channel |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Выходная конфигурация | High Side |
Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Количество выходов | 1 |
Тип установки | Surface Mount |
Интерфейс | Logic, PWM |
Тип ввода | Non-Inverting |
Особенности | Bootstrap Circuit, 5V Regulated Output |
Защита от сбоев | Over Current, Over Temperature, UVLO |
Ток - Выходной (Макс) | 12A |
Базовый номер продукта | LMG3411R070 |
Рекомендуемые продукты
-
LMG3410R050RWHT
SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIVN/A -
LMG3422R050RQZR
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFNN/A -
LMG3410R150RWHR
SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVEN/A -
LMG3410R070RWHT
PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVERN/A -
LMG3422R030RQZR
600-V 30-M GAN FET WITH INTEGRATN/A -
LMG3411R050RWHT
SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIVN/A -
LMG3422R050RQZT
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFNN/A -
LMG3425R030RQZR
600-V 30-M GAN FET WITH INTEGRATN/A -
LMG3422R030RQZT
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFNN/A -
LMG3411EVM-031
LMG3411 EVMN/A -
LMG3411R150RWHR
SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVEN/A -
LMG3410R150RWHT
SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVEN/A -
LMG3411EVM-018
LMG3411 EVMN/A -
LMG3411EVM-029
DEVELOPMENT POWER MANAGEMENTN/A -
LMG3410R070RWHR
PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVERN/A -
LMG3422EVM-041
LMG3422R050 600-V 50-M HALF-BRIDN/A -
LMG3411R070RWHT
600-V 70MOHM GAN WITH INTEGRATEDN/A -
LMG3411R050RWHR
SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIVN/A -
LMG3422EVM-043
PROTOTYPEN/A -
LMG3411R150RWHT
SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVEN/A