Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SCT2750NYTB
Rohm Semiconductor

SCT2750NYTB

Номер детали производителя SCT2750NYTB
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Упаковка TO-268
В наличии 17651 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100
$2.798 $2.526 $2.091
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 17651 Rohm Semiconductor SCT2750NYTB в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 630µA
Vgs (макс.) +22V, -6V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства TO-268
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 975mOhm @ 1.7A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс) 57W (Tc)
Упаковка / TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 275 pF @ 800 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 17 nC @ 18 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1700 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.9A (Tc)
Базовый номер продукта SCT2750

Рекомендуемые продукты

SCT2750NYTB DataSheet PDF

Ключевые слова для SCT2750NYTB

Связанные детали для SCT2750NYTB