RS1E321GNTB1
| Номер детали производителя | RS1E321GNTB1 |
|---|---|
| производитель | Rohm Semiconductor |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP |
| Упаковка | 8-HSOP |
| В наличии | 90121 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.887 | $0.796 | $0.64 | $0.525 | $0.435 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 90121 Rohm Semiconductor RS1E321GNTB1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-HSOP |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 32A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3W (Ta) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2850 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 42.8 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 32A (Ta), 80A (Tc) |
| Базовый номер продукта | RS1E |
Рекомендуемые продукты
-
RS1E301GNTB1
MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOPRohm Semiconductor -
RS1FK-M3/H
DIODE GEN PURP 800V 1A DO219ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
RS1E240GNTB
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOPRohm Semiconductor -
RS1E220ATTB1
MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOPRohm Semiconductor -
RS1E280BNTB
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOPRohm Semiconductor -
RS1E350BNTB1
NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35Rohm Semiconductor -
RS1E350GNTB
MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOPRohm Semiconductor -
RS1FG-M3/I
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
RS1FD-M3/H
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
RS1E280GNTB
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOPRohm Semiconductor -
RS1FJ-M3/H
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
RS1E320GNTB
MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOPRohm Semiconductor -
RS1E240BNTB
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOPRohm Semiconductor -
RS1E281BNTB1
MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOPRohm Semiconductor -
RS1E350BNTB
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOPRohm Semiconductor -
RS1FG-M3/H
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
RS1E300GNTB
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOPRohm Semiconductor -
RS1FD-M3/I
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
RS1FJ-M3/I
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
RS1E260ATTB1
MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOPRohm Semiconductor