RGT30NS65DGC9
| Номер детали производителя | RGT30NS65DGC9 |
|---|---|
| производитель | Rohm Semiconductor |
| Подробное описание | IGBT TRENCH FIELD 650V 30A TO262 |
| Упаковка | TO-262 |
| В наличии | 67996 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.086 | $0.974 | $0.798 | $0.679 | $0.579 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 67996 Rohm Semiconductor RGT30NS65DGC9 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 650 V |
| Vce (на) (Max) @ VGE, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| режим для испытаний | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Td (вкл / выкл) при 25 ° C | 18ns/64ns |
| Переключение энергии | - |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-262 |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 55 ns |
| Мощность - Макс | 133 W |
| Упаковка / | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Тип ввода | Standard |
| Тип IGBT | Trench Field Stop |
| Заряд затвора | 32 nC |
| Ток - Коллектор Импульсные (ICM) | 45 A |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 30 A |
| Базовый номер продукта | RGT30 |
Рекомендуемые продукты
-
RGT40NL65DGTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDSRohm Semiconductor -
RGT40TS65DGC13
IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247GRohm Semiconductor -
RGT30TM65DGC9
IGBT TRNCH FLD 650V 14A TO220NFMRohm Semiconductor -
RGT20NL65GTL
IGBT TRENCH FLD 650V 20A TO263ABRohm Semiconductor -
RGT20TM65DGC9
IGBT TRNCH FLD 650V 10A TO220NFMRohm Semiconductor -
RGT50NS65DGC9
IGBT TRENCH FIELD 650V 48A TO262Rohm Semiconductor -
RGT30NS65DGTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 30A LPDSRohm Semiconductor -
RGT2012P-9762-B-T5
RES 97.6 KOHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT50NL65DGTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 48A LPDSRohm Semiconductor -
RGT2012P-97R6-B-T5
RES 97.6 OHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT40TS65DGC11
IGBT 650V 40A 144W TO-247NRohm Semiconductor -
RGT40NS65DGC9
IGBT TRENCH FIELD 650V 40A TO262Rohm Semiconductor -
RGT2012P-9760-B-T5
RES 976 OHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT2012P-9761-B-T5
RES 9.76 KOHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT30NL65DGTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 30A LPDSRohm Semiconductor -
RGT2012P-95R3-B-T5
RES 95.3 OHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT40NS65DGTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDSRohm Semiconductor -
RGT2012P-9533-B-T5
RES 953 KOHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT40TM65DGC9
IGBT TRNCH FLD 650V 17A TO220NFMRohm Semiconductor -
RGT2012P-9763-B-T5
RES 976 KOHM 0.1% 1/10W 0805Susumu