RGT16TM65DGC9
| Номер детали производителя | RGT16TM65DGC9 |
|---|---|
| производитель | Rohm Semiconductor |
| Подробное описание | IGBT TRENCH FLD 650V 9A TO220NFM |
| Упаковка | TO-220NFM |
| В наличии | 71084 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.044 | $0.938 | $0.754 | $0.62 | $0.514 | $0.501 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 71084 Rohm Semiconductor RGT16TM65DGC9 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 650 V |
| Vce (на) (Max) @ VGE, Ic | 2.1V @ 15V, 8A |
| режим для испытаний | 400V, 8A, 10Ohm, 15V |
| Td (вкл / выкл) при 25 ° C | 13ns/33ns |
| Переключение энергии | - |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-220NFM |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 42 ns |
| Мощность - Макс | 22 W |
| Упаковка / | TO-220-3 Full Pack |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Тип ввода | Standard |
| Тип IGBT | Trench Field Stop |
| Заряд затвора | 21 nC |
| Ток - Коллектор Импульсные (ICM) | 24 A |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 9 A |
| Базовый номер продукта | RGT16 |
Рекомендуемые продукты
-
RGT16NL65DGTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 16A LPDSRohm Semiconductor -
RGT2012P-1023-B-T5
RES 102 KOHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT2012P-1022-B-T5
RES 10.2 KOHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT1608P-9762-B-T5
RES 97.6 KOHM 0.1% 1/16W 0603Susumu -
RGT2012P-1021-B-T5
RES 1.02 KOHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT2012P-102-B-T5
RES 1 KOHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT2012P-105-B-T5
RES 1 MOHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT1608P-9763-B-T5
RES 976 KOHM 0.1% 1/16W 0603Susumu -
RGT16BM65DTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 16A TO252Rohm Semiconductor -
RGT2012P-1024-B-T5
RES 1.02 MOHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT2012P-104-B-T5
RES 100 KOHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT16NS65DGC9
IGBT TRENCH FIELD 650V 16A TO262Rohm Semiconductor -
RGT1608P-97R6-B-T5
RES 97.6 OHM 0.1% 1/16W 0603Susumu -
RGT16NS65DGTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 16A LPDSRohm Semiconductor -
RGT2012P-103-B-T5
RES 10 KOHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT2012P-101-B-T5
RES 100 OHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT1608P-9760-B-T5
RES 976 OHM 0.1% 1/16W 0603Susumu -
RGT2012P-1020-B-T5
RES 102 OHM 0.1% 1/10W 0805Susumu -
RGT1608P-95R3-B-T5
RES 95.3 OHM 0.1% 1/16W 0603Susumu -
RGT1608P-9761-B-T5
RES 9.76 KOHM 0.1% 1/16W 0603Susumu