Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RD3G07BATTL1
Rohm Semiconductor

RD3G07BATTL1

Номер детали производителя RD3G07BATTL1
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Упаковка TO-252
В наличии 88480 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.835 $0.751 $0.603 $0.496 $0.411
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 88480 Rohm Semiconductor RD3G07BATTL1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-252
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 70A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 101W (Ta)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5550 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 105 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 70A (Ta)
Базовый номер продукта RD3G07

Рекомендуемые продукты

RD3G07BATTL1 DataSheet PDF

Ключевые слова для RD3G07BATTL1

Связанные детали для RD3G07BATTL1