Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы > EMX1FHAT2R
EMX1FHAT2R Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

EMX1FHAT2R

Номер детали производителя EMX1FHAT2R
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
Упаковка EMT6
В наличии 2004843 pcs
Техническая спецификация AEC-Q101 Automotive RequirementsTransistor, MOSFET FlammabilityTransistor Whisker InfoTransistor, MOSFET Level 1 MSL
Справочная цена (В долларах США)
8000
$0.023
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 2004843 Rohm Semiconductor EMX1FHAT2R в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Тип транзистор 2 NPN (Dual)
Поставщик Упаковка устройства EMT6
Серии Automotive, AEC-Q101
Мощность - Макс 150mW
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 180MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 150mA
Базовый номер продукта EMX1FHAT2

Рекомендуемые продукты

EMX1FHAT2R DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для EMX1FHAT2R

Связанные детали для EMX1FHAT2R