Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные > EMD30T2R
EMD30T2R Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

EMD30T2R

Номер детали производителя EMD30T2R
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Упаковка EMT6
В наличии 1057018 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
8000
$0.044
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 1057018 Rohm Semiconductor EMD30T2R в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V, 30V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Тип транзистор 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Поставщик Упаковка устройства EMT6
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 10kOhms
Резистор - основание (R1) 10kOhms, 1kOhms
Мощность - Макс 150mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 260MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 200mA
Базовый номер продукта EMD30

Рекомендуемые продукты

EMD30T2R DataSheet PDF

Ключевые слова для EMD30T2R

Связанные детали для EMD30T2R