Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные > EMB3T2R
EMB3T2R Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

EMB3T2R

Номер детали производителя EMB3T2R
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Упаковка EMT6
В наличии 1193478 pcs
Техническая спецификация Transistor, MOSFET FlammabilityTransistor Whisker InfoTransistor, MOSFET Level 1 MSL
Справочная цена (В долларах США)
8000
$0.032
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 1193478 Rohm Semiconductor EMB3T2R в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 5mA
Тип транзистор 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства EMT6
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) -
Резистор - основание (R1) 4.7kOhms
Мощность - Макс 150mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 250MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) -
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Базовый номер продукта EMB3T2

Рекомендуемые продукты

EMB3T2R DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для EMB3T2R

Связанные детали для EMB3T2R