Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > DTD523YE3TL
Rohm Semiconductor

DTD523YE3TL

Номер детали производителя DTD523YE3TL
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание NPN, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI
Упаковка EMT3
В наличии 807002 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.166 $0.133 $0.091 $0.068 $0.051
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 807002 Rohm Semiconductor DTD523YE3TL в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 12 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased + Diode
Поставщик Упаковка устройства EMT3
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 10 kOhms
Резистор - основание (R1) 2.2 kOhms
Мощность - Макс 150 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SC-75, SOT-416
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 260 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 500 mA
Базовый номер продукта DTD523

Рекомендуемые продукты

DTD523YE3TL DataSheet PDF

Ключевые слова для DTD523YE3TL

Связанные детали для DTD523YE3TL