Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > DTB513ZE3TL
Rohm Semiconductor

DTB513ZE3TL

Номер детали производителя DTB513ZE3TL
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание PNP, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI
Упаковка EMT3
В наличии 843345 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.147 $0.119 $0.081 $0.061 $0.046
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 843345 Rohm Semiconductor DTB513ZE3TL в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 12 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased + Diode
Поставщик Упаковка устройства EMT3
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 10 kOhms
Резистор - основание (R1) 1 kOhms
Мощность - Макс 150 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SC-75, SOT-416
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 260 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 500 mA
Базовый номер продукта DTB513

Рекомендуемые продукты

DTB513ZE3TL DataSheet PDF

Ключевые слова для DTB513ZE3TL

Связанные детали для DTB513ZE3TL