Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > DTA123JMT2L
Rohm Semiconductor

DTA123JMT2L

Номер детали производителя DTA123JMT2L
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Упаковка VMT3
В наличии 1552820 pcs
Техническая спецификация Transistor, MOSFET FlammabilityTransistor Whisker InfoTransistor, MOSFET Level 1 MSL
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.131 $0.099 $0.056 $0.037 $0.028 $0.025
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 1552820 Rohm Semiconductor DTA123JMT2L в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства VMT3
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 47 kOhms
Резистор - основание (R1) 2.2 kOhms
Мощность - Макс 150 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SOT-723
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 250 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта DTA123

Рекомендуемые продукты

DTA123JMT2L DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для DTA123JMT2L

Связанные детали для DTA123JMT2L