Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > DTA114EE3TL
Rohm Semiconductor

DTA114EE3TL

Номер детали производителя DTA114EE3TL
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание PNP, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI
Упаковка EMT3
В наличии 1449448 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.14 $0.104 $0.059 $0.039 $0.03
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 1449448 Rohm Semiconductor DTA114EE3TL в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства EMT3
Серии DTA114E
Резистор - основание эмиттера (R2) 2.2 kOhms
Резистор - основание (R1) 2.2 kOhms
Мощность - Макс 150 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SC-75, SOT-416
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 250 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта DTA114

Рекомендуемые продукты

DTA114EE3TL DataSheet PDF

Ключевые слова для DTA114EE3TL

Связанные детали для DTA114EE3TL