Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > BSM300D12P3E005
Rohm Semiconductor

BSM300D12P3E005

Номер детали производителя BSM300D12P3E005
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Упаковка Module
В наличии 63 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1
$605.447
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 63 Rohm Semiconductor BSM300D12P3E005 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.6V @ 91mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Мощность - Макс 1260W (Tc)
Упаковка / Module
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 14000pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs -
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 300A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Базовый номер продукта BSM300

Рекомендуемые продукты

BSM300D12P3E005 DataSheet PDF

Ключевые слова для BSM300D12P3E005

Связанные детали для BSM300D12P3E005