Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > BSM180D12P2C101
Rohm Semiconductor

BSM180D12P2C101

Номер детали производителя BSM180D12P2C101
производитель Rohm Semiconductor
Подробное описание MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Упаковка Module
В наличии 159 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1
$216.456
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rohm Semiconductor.У нас есть кусочки 159 Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Мощность - Макс 1130W
Упаковка / Module
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 23000pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs -
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 204A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Базовый номер продукта BSM180

Рекомендуемые продукты

BSM180D12P2C101 DataSheet PDF