Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - RF > IGN1011L70
Integra Technologies Inc.

IGN1011L70

Номер детали производителя IGN1011L70
производитель Integra Technologies Inc.
Подробное описание GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Упаковка PL32A2
В наличии 408 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1
$85.603
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Integra Technologies Inc..У нас есть кусочки 408 Integra Technologies Inc. IGN1011L70 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - испытания 50 V
Напряжение - Номинальный 120 V
Технологии GaN HEMT
Поставщик Упаковка устройства PL32A2
Серии -
Выходная мощность 80W
Упаковка / PL32A2
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Bulk
Коэффициент шума -
Тип установки Chassis Mount
Усиление 22dB
частота 1.03GHz ~ 1.09GHz
Текущий рейтинг (AMP) -
Ток - Тест 22 mA

Рекомендуемые продукты

IGN1011L70 DataSheet PDF